RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
27
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
25
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
3849
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link