RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
3573
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link