Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB vs SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Gesamtnote
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Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB

Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB

Gesamtnote
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Unterschiede

Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    29 left arrow 42
    Rund um 31% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    10.5 left arrow 8.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 10600
    Rund um 1.21% höhere Bandbreite
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Einen Fehler melden
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.7 left arrow 10.7
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    29 left arrow 42
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    10.7 left arrow 13.7
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    10.5 left arrow 8.3
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2412 left arrow 2152
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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