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Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
比较
Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB vs SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
总分
Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB
总分
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
42
左右 31% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.5
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21% 更高的带宽
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.7
10.7
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
29
42
读取速度,GB/s
10.7
13.7
写入速度,GB/s
10.5
8.3
内存带宽,mbps
12800
10600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
2412
2152
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
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Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
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