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Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
比较
Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB vs SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
总分
Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB
总分
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
42
左右 31% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.5
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21% 更高的带宽
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.7
10.7
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
29
42
读取速度,GB/s
10.7
13.7
写入速度,GB/s
10.5
8.3
内存带宽,mbps
12800
10600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
2412
2152
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
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SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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