RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
39
Rund um 33% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.1
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
10.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
2478
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link