RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
39
Около 33% меньшая задержка
Причины выбрать
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.1
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
39
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
15.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2478
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link