RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
65
Около -132% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.4
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
15.5
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2372
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link