RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
65
Rund um -132% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.4
1,592.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,580.8
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,592.0
11.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
572
2372
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link