RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
26
Rund um -18% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.3
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
13.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
3051
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link