RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
27
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.1
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.2
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
19.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
16.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
3784
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link