RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
27
Autour de 4% latence réduite
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.1
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.2
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
27
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
19.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
16.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3784
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link