Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB

Gesamtnote
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Gesamtnote
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Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB

Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB

Unterschiede

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    24 left arrow 26
    Rund um -8% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.8 left arrow 12.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    11.7 left arrow 9.0
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 10600
    Rund um 1.6 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    26 left arrow 24
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.8 left arrow 15.8
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.0 left arrow 11.7
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2143 left arrow 2971
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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