RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
33
Rund um 21% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
13.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
3160
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link