RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
55
Rund um 53% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.4
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
55
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
12.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
14.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
2894
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link