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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
55
左右 53% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.8
12.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
14.4
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
55
读取速度,GB/s
12.8
12.3
写入速度,GB/s
9.0
14.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2894
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
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Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
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