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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
101
左右 59% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
6.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
101
读取速度,GB/s
13.9
12.1
写入速度,GB/s
8.5
6.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2385
1382
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
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