RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.0
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
14.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
3143
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link