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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
33
Rund um 21% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
12.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
2941
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
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