RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
33
Около 21% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
33
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
16.2
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2941
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link