RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
11.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
2650
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link