RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
29
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.3
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
18.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
13.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
3336
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link