RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
26
Rund um -18% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.1
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.4
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
21.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
17.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
4142
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G4D1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link