RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
26
Intorno -18% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
21.1
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.4
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
22
Velocità di lettura, GB/s
12.8
21.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
17.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
4142
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link