RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
31
Rund um 16% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.1
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.4
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
20.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
16.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
3823
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link