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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
31
Autour de 16% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.1
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.4
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
31
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
20.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
16.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3823
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905458-009.A00LF 2GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
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