RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
26
Rund um -44% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.3
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.8
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
18
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
20.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
17.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
3507
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link