RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
31
Rund um 16% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.5
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
10.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
3039
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link