RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
31
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3039
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 2OZ 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link