RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
26
Rund um -30% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.4
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.0
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
15.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
3395
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link