RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
26
Rund um -30% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.4
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.0
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
15.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
3395
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link