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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Razões a considerar
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
26
Por volta de -30% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.4
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.0
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
20
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
15.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3395
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
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