RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
26
Rund um -13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
13.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
2545
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link