RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
26
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2545
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link