RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
47
Rund um 45% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
47
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
13.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
2074
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
KingSpec KingSpec 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link