RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
28
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.5
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
10.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
2696
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link