RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
42
Rund um 38% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.2
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
42
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
12.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
10.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
2701
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link