RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
42
Около 38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.8
12.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
10.2
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
42
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
12.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2701
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link