RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
36
Rund um 28% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
11.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
2792
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
G Skill Intl F5-5600U3636C16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link