RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
36
Около 28% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.4
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
36
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
15.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2792
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link