RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
34
Rund um 24% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.3
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
10.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
2201
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link