RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
30
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
11.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
3119
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link