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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
30
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
30
读取速度,GB/s
12.8
16.8
写入速度,GB/s
9.0
11.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3119
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
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