RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
28
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.2
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
14.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
3501
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link