RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
34
Rund um 24% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.1
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
19.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
13.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
3341
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link