RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
34
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3341
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
SK Hynix HMT351U7CFR8C-PB 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link