RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
35
Rund um 26% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.1
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
9.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
2488
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link