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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB

总分
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

总分
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Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB

Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB 需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    26 left arrow 35
    左右 26% 更低的延时
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB 需要考虑的原因
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.1 left arrow 12.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.2 left arrow 9.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 10600
    左右 2.42 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    26 left arrow 35
  • 读取速度，GB/s
    12.8 left arrow 15.1
  • 写入速度，GB/s
    9.0 left arrow 9.2
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2143 left arrow 2488

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较

Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
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Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB RAM的比较

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RAM Latency Calculator
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最新比较

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Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
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Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
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内存RAM
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
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内存RAM
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
内存RAM
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
内存RAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Kingston 9905701-008.A00G 16GB
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内存RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
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内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
内存RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
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Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
内存RAM
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
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