RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
30
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
12.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
2969
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-12800CL6-2GBXH 2GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link