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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB

総合得点
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

総合得点
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Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB

Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB 考慮すべき理由
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 30
    周辺 13% 低遅延
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB 考慮すべき理由
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.5 left arrow 12.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.1 left arrow 9.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    12.8 left arrow 16.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.0 left arrow 12.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2143 left arrow 2969

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
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メモリRAM
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
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Kingston 9905701-004.A00G 16GB
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Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
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メモリRAM
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
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メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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