RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
28
Rund um -27% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
11.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2213
2748
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link