RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
30
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
11.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
7.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2213
2266
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link